Семинар 6

ИТСН

Информационное сообщение

23 апреля 2015 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына состоится шестое заседание междисциплинарного научно-практического семинара по проблеме
«Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»
под научным руководством академика Ю.Г.Евтушенко и академика Ю.А.Рыжова.

Программа 6-го заседания:
Доклады:

  1. Моделирование концентрационных профилей и упругих напряжений в гетероструктурах InGaAs/GaAs c множественными квантовыми ямами
    проф. Р.Х. Акчурин, вед. научный сотрудник Л.Б. Берлинер, МИТХТ им М.В. Ломоносова
    11:00 – 11:30, обсуждение 10 мин
  2. Многоуровневое моделирование распределения и подвижности носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах
    и.о.зав.отделом К.К. Абгарян, к.ф.-м.н. И.В.Мутигуллин, д.ф-м.н, проф. Д.Л. Ревизников
    11:40 – 12:10, обсуждение 10 мин
    Перерыв 12:20-13:00
  3. Анализ физических и технологических пределов повышения СВЧ параметров HEMT на гетероструктурах А3В5
    Ю.В. Федоров, Гл. конструктор - зам. директора ИСВЧПЭ РАН
    13:00 – 13:30, обсуждение 10 мин
  4. Квазипериодические AlGaAs структуры
    доцент К.В. Малышев, МГТУ им. Н.Э. Баумана
    13:40 – 14:10, обсуждение 10 мин
  5. Разработка информационной поддержки задач полупроводниковой наноэлектроники
    доцент К.В. Малышев, МГТУ им. Н.Э. Баумана
    14:10 – 14:30, обсуждение 10 мин

Дискуссия по обсуждаемой проблеме 14:40 – 15:00

Просьба своевременно подтвердить Ваше участие в работе семинара!

Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж, конференц-зал

Начало регистрации: 10:30, начало заседания 11:00

Контакты: зав. сектором Абгарян Карина Карленовна,
м.н.с. Сеченых Полина Алексеевна – 8(967) 029 84 20
Телефон: 8 495 938 28 67 (ул. Вавилова, дом 40, ком. 121),
Факс: 8 499 135 61 59
Электронная почта оргкомитета: matmodel2013@gmail.com