Семинар 4

 ИТСН

Информационное сообщение

27 февраля 2014 г. в ВЦ РАН имени А.А.Дородницына состоится четвертое заседание междисциплинарного научно-практического семинара по проблеме
«Математическое моделирование в материаловедении электронных наноструктур»
под научным руководством академика Ю.Г.Евтушенко и академика Ю.А.Рыжова

Программа четвертого заседания.
Доклады:

  1. Радиационные эффекты в полупроводниках и приборных структурах как предмет математического моделирования.
    доктор физ.-мат. наук Мордкович Виктор Наумович, ИПТМ РАН
    11.00-11.30, обсуждение 10 мин
  2. Радиационные эффекты в СВЧ гетероструктурных приборах и элементах наноэлектроники
    профессор, д.т.н. Громов Дмитрий Викторович, НИЯУ МИФИ
    11.40-12.10, обсуждение 10 мин
    Перерыв 12.20-13.00
  3. Многомасштабное моделирование структуры и свойств многослойных полупроводниковых наноструктур на основе кремния
    зав.сектором, к.ф.-м.н. Абгарян Карина Карленовна, ВЦ РАН
    13.00- 13.30, обсуждение 10 мин
  4. Моделирование СВЧ и силовых транзисторов, интегральных схем и модулей на их основе
    к.т.н. Крымко Михаил Миронович, к.т.н. Савченко Евгений Матвеевич, к.э.н. Груздов Вадим Владимирович ОАО «НПП « Пульсар»»
    13.40- 14.10, обсуждение 10 мин

Дискуссия по обсуждаемой проблеме 14.20-14.40

Заседание состоится по адресу: г. Москва, ул. Вавилова, дом 40, 3 этаж конференц-зал
Начало регистрации: 10.30, начало заседания 11.00
Контакты: зав. сектором Абгарян Карина Карленовна, м.н.с. Сеченых Полина Алексеевна
Телефон: 8 495 938 28 67 (ул. Вавилова дом 42, ком. 158)
8(967) 029 84 20 моб.,
Факс: 8 499 135 61 59
Электронная почта оргкомитета: matmodel2013@gmail.com